Oldal nyomtatása
IXTN210P10T
MOSFET Transistor, P Channel, 210 A, 100 V, 0.0075 ohm, 10 V, 4.5 V, SOT-227B
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóIXYS SEMICONDUCTOR
Gyártói cikkszámIXTN210P10T
Rendelési kód3438414
TermékskálaTrenchP
Műszaki adatlap
78 Van Raktáron
460 Már most lefoglalhat készletet
Kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Standard kiszállítás a 17:00 előtt leadott rendelésekre
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 18 585,450 Ft |
| 5+ | 17 115,300 Ft |
| 10+ | 15 645,150 Ft |
| 50+ | 14 175,000 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
18 585,45 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóIXYS SEMICONDUCTOR
Gyártói cikkszámIXTN210P10T
Rendelési kód3438414
TermékskálaTrenchP
Műszaki adatlap
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Continuous Drain Current Id210A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance0.0075ohm
On Resistance Rds(on)0.0075ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation830W
Power Dissipation Pd830W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchP
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Termékáttekintés
IXTN210P10T is a TrenchP™ power MOSFET. Suitable for high-side switching, push pull amplifiers, DC choppers, automatic test equipment, current regulators and battery charger applications.
- P-channel enhancement mode
- Avalanche rated and fast intrinsic rectifier
- International standard package
- Low intrinsic gate resistance
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Extended FBSOA and low RDS(ON) and QG
- Easy to mount, space savings and high power density
- 210A continuous drain current Id
- 100V drain source voltage Vds, 10V Rds(on) test voltage, 4.5V max gate source threshold voltage
- 0.0075ohm drain source on state resistance
Műszaki adatok
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
210A
Drain Source On State Resistance
0.0075ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
830W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0075ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
830W
Product Range
TrenchP
Műszaki dokumentumok (2)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:South Korea
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:South Korea
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.004
Termékkövethetőség