Oldal nyomtatása
IXYN82N120C3H1
IGBT Module, Single, 105 A, 3.2 V, 500 W, 150 °C, SOT-227B
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóIXYS SEMICONDUCTOR
Gyártói cikkszámIXYN82N120C3H1
Rendelési kód2674802
TermékskálaXPT GenX3
Műszaki adatlap
Rendelhető
A gyártó standard átfutási ideje: 52 hét
| Mennyiség | |
|---|---|
| 300+ | 8 108,100 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 300
Több: 300
2 432 430,00 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóIXYS SEMICONDUCTOR
Gyártói cikkszámIXYN82N120C3H1
Rendelési kód2674802
TermékskálaXPT GenX3
Műszaki adatlap
IGBT ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current105A
Continuous Collector Current105A
Collector Emitter Saturation Voltage3.2V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.2V
Power Dissipation Pd500W
Power Dissipation500W
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleSOT-227B
IGBT TerminationStud
No. of Pins4Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 3 High Speed
Transistor MountingPanel
Product RangeXPT GenX3
SVHCLead (17-Jan-2023)
Termékáttekintés
Figyelmeztetések
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Műszaki adatok
IGBT Configuration
Single
DC Collector Current
105A
Collector Emitter Saturation Voltage
3.2V
Power Dissipation Pd
500W
Operating Temperature Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
105A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
3.2V
Power Dissipation
500W
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
SOT-227B
No. of Pins
4Pins
IGBT Technology
IGBT 3 High Speed
Product Range
XPT GenX3
Műszaki dokumentumok (2)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:United States
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:United States
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Y-Ex
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:Lead (17-Jan-2023)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.03
Termékkövethetőség