Oldal nyomtatása
IXYN100N65C3H1
IGBT Module, Single, 160 A, 1.8 V, 600 W, 175 °C, SOT-227B
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
297 Van Raktáron
Többre van szüksége?
Kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Standard kiszállítás a 17:00 előtt leadott rendelésekre
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 11 433,150 Ft |
| 5+ | 9 910,350 Ft |
| 10+ | 8 387,550 Ft |
| 50+ | 7 852,950 Ft |
| 100+ | 7 314,300 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
11 433,15 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóLITTELFUSE
Gyártói cikkszámIXYN100N65C3H1
Rendelési kód3930297
Műszaki adatlap
IGBT ConfigurationSingle
Continuous Collector Current160A
DC Collector Current160A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation600W
Power Dissipation Pd600W
Junction Temperature Tj Max175°C
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleSOT-227B
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max650V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Termékáttekintés
Extreme light punch through IGBT for 20-60KHz switching suitable for use in power inverters, UPS, motor drives, SMPS, PFC circuits, battery chargers, welding machines, lamp ballasts, high frequency power inverters applications.
- XPT™ 650V GenX3™ w/ sonic diode
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- 2500V isolation voltage
- Anti-parallel sonic diode
- Square RBSOA
- Short circuit capability
- High current handling capability
- High power density
- Low gate drive requirement
Műszaki adatok
IGBT Configuration
Single
DC Collector Current
160A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation Pd
600W
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
650V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Continuous Collector Current
160A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation
600W
Junction Temperature Tj Max
175°C
Transistor Case Style
SOT-227B
Collector Emitter Voltage Max
650V
IGBT Technology
-
Product Range
-
Műszaki dokumentumok (2)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:South Korea
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:South Korea
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:To Be Advised
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.000001
Termékkövethetőség