Oldal nyomtatása
MSC045SMB120B4N
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 49 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóMICROCHIP
Gyártói cikkszámMSC045SMB120B4N
Rendelési kód4751107
TermékskálamSiC Series
Műszaki adatlap
120 Van Raktáron
Többre van szüksége?
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 3 349,350 Ft |
| 25+ | 3 219,750 Ft |
| 100+ | 3 090,150 Ft |
| 250+ | 2 689,200 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
3 349,35 Ft (ÁFA nélkül)
Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóMICROCHIP
Gyártói cikkszámMSC045SMB120B4N
Rendelési kód4751107
TermékskálamSiC Series
Műszaki adatlap
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id49A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation237W
Operating Temperature Max175°C
Product RangemSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Termékáttekintés
MSC045SMB120B4N is a 1200V, 45mohm silicon carbide (SiC) power MOSFET in a 4-lead TO-247 package. It delivers high efficiency with low switching and conduction losses, fast switching speed, and robust avalanche performance. Designed for high-power and high-temperature applications, it is ideal for use in EV chargers, solar inverters, motor drives, and industrial power supplies.
- Low on-resistance RDS(on) reduces conduction losses, improving efficiency and thermal performance
- Supports high-frequency operation for smaller magnetics, higher power density, and lower cost
- Superior avalanche ruggedness and short-circuit withstand time
- HV-H3TRB proven capability ensures long-term reliability in high humidity environments
- Lower VGS and standard package enables improved compatibility with standard gate drivers
- Increased creepage distance (notch) improves safety and reliability in high-voltage designs
Műszaki adatok
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
49A
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
237W
Product Range
mSiC Series
Műszaki dokumentumok (1)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Meghatározásra vár
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.000001