Oldal nyomtatása
MT53E256M32D2DS-053 WT:B
DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pins
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
60 Van Raktáron
Többre van szüksége?
Kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Standard kiszállítás a 17:00 előtt leadott rendelésekre
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 5 856,300 Ft |
| 10+ | 5 418,900 Ft |
| 25+ | 5 346,000 Ft |
| 50+ | 5 167,800 Ft |
| 100+ | 4 629,150 Ft |
| 250+ | 4 491,450 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
5 856,30 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóMICRON
Gyártói cikkszámMT53E256M32D2DS-053 WT:B
Rendelési kód3530742
Műszaki adatlap
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density8Gbit
Memory Configuration256M x 32bit
Clock Frequency Max1.866GHz
IC Case / PackageWFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-30°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Termékáttekintés
MT53E256M32D2DS-053 WT:B is a 8Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4). It is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory. The device is internally configured with x16 I/O, 8-banks. Each of the x16’s 536,870,912bit banks is organized as 32,768 rows by 1024 columns by 16bits.
- 1.10V VDD2/0.60V or 1.10V VDDQ operating voltage range, 256 Meg x 32 configuration
- LPDDR4, 2 die count, 535ps, tCK RL = 32/36 cycle time
- 8Gb total density, 3733Mb/s data rate per pin
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies, programmable and on-the-fly burst lengths
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate
- Partial-array self refresh, selectable output drive strength, clock-stop capability
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- 200-ball WFBGA package, operating temperature range from -30°C to +85°C
Figyelmeztetések
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Műszaki adatok
DRAM Type
Mobile LPDDR4
Memory Configuration
256M x 32bit
IC Case / Package
WFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Operating Temperature Min
-30°C
Product Range
-
Memory Density
8Gbit
Clock Frequency Max
1.866GHz
No. of Pins
200Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Műszaki dokumentumok (2)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Singapore
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Singapore
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.001519