Oldal nyomtatása
MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B
DRAM, LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
1262 Van Raktáron
Többre van szüksége?
Kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Standard kiszállítás a 17:00 előtt leadott rendelésekre
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 6 953,850 Ft |
| 10+ | 6 443,550 Ft |
| 25+ | 6 241,050 Ft |
| 50+ | 5 601,150 Ft |
| 100+ | 5 362,200 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
6 953,85 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóMICRON
Gyártói cikkszámMT53E512M32D1ZW-046 AAT:B
Rendelési kód3954466
Műszaki adatlap
DRAM TypeLPDDR4
Memory Density16Gbit
Memory Configuration512M x 32bit
Clock Frequency Max2.133GHz
IC Case / PackageTFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max105°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Termékáttekintés
MT53E512M32D1 is a 16Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 2 channels or 1 channel ×16 I/O, each channel having 8-banks.
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), programmable VSS (ODT) termination
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate, partial-array self refresh (PASR)
- Selectable output drive strength (DS), clock-stop capability, single-ended CK and DQS support
- 1.10V VDD2 / 0.60V VDDQ or 1.10V VDDQ operating voltage
- 512 Meg x 32 configuration, LPDDR4, 1 die addressing
- 200-ball TFBGA (Ø0.40 SMD) package, 468ps cycle time
- Operating temperature rating range from -40°C to +105°C
Műszaki adatok
DRAM Type
LPDDR4
Memory Configuration
512M x 32bit
IC Case / Package
TFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
Memory Density
16Gbit
Clock Frequency Max
2.133GHz
No. of Pins
200Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
105°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Műszaki dokumentumok (1)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Taiwan
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Taiwan
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.000001