Oldal nyomtatása
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
50 149 Van Raktáron
Többre van szüksége?
Kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Standard kiszállítás a 17:00 előtt leadott rendelésekre
Mennyiség | |
---|---|
500+ | 34,142 Ft |
1500+ | 28,634 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each (Supplied on Cut Tape)
Legalább: 500
Több: 5
18 466,00 Ft (ÁFA nélkül)
Erre a termékre 1 395,00 Ft összegű újratekercselési díjat számolunk fel
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóNEXPERIA
Gyártói cikkszámBSS84AKS,115
Rendelési kód1972665RL
Műszaki adatlap
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel50V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel160mA
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel4.5ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel445mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Termékáttekintés
The BSS84AKS is a dual P-channel enhancement-mode FET in a very small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
- Logic-level compatible
- Very fast switching
Alkalmazások
Industrial, Power Management
Figyelmeztetések
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Műszaki adatok
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
50V
Continuous Drain Current Id P Channel
160mA
Drain Source On State Resistance P Channel
4.5ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
445mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Műszaki dokumentumok (2)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Malaysia
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Malaysia
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.000005