Oldal nyomtatása
PSMN1R0-30YLC,115
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 100 A, 0.00115 ohm, SOT-669, Surface Mount
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
258 Van Raktáron
Többre van szüksége?
Kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Standard kiszállítás a 17:00 előtt leadott rendelésekre
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 595,350 Ft |
| 10+ | 453,600 Ft |
| 50+ | 405,000 Ft |
| 200+ | 355,185 Ft |
| 500+ | 300,915 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each (Supplied on Cut Tape)
Legalább: 1
Több: 1
595,35 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóNEXPERIA
Gyártói cikkszámPSMN1R0-30YLC,115
Rendelési kód1895397
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.00115ohm
Transistor Case StyleSOT-669
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.41V
Power Dissipation137W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Termékáttekintés
The PSMN1R0-30YLC is a N-channel enhancement-mode logic level MOSFET optimised for 4.5V gate drive utilising NextPower Superjunction technology. It is designed and qualified for use in a wide range of DC-to-DC converters, lithium-ion battery protection, load switching, power O-ring, server power supplies, sync rectifier and domestic equipment applications.
- Ultra-low QG, QGD and QOSS for high system efficiencies at low and high loads
- Ultra-low RDS (ON) and low parasitic inductance
- -55 to 175°C Junction temperature range
Alkalmazások
Power Management, Communications & Networking, Consumer Electronics, Industrial
Figyelmeztetések
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
SOT-669
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
137W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.00115ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.41V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Műszaki dokumentumok (2)
Alternatíva a következőhöz: PSMN1R0-30YLC,115
8 termék található
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Philippines
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Philippines
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Y-Ex
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.0008
Termékkövethetőség