Oldal nyomtatása
AFT20S015GNR1
RF FET Transistor, 65 V, 11 W, 1.805 GHz, 2.7 GHz, TO-270G
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
201 Van Raktáron
Többre van szüksége?
Kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Standard kiszállítás a 17:00 előtt leadott rendelésekre
| Mennyiség | |
|---|---|
| 10+ | 9 675,450 Ft |
| 50+ | 8 897,850 Ft |
| 100+ | 8 719,650 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each (Supplied on Cut Tape)
Legalább: 10
Több: 1
98 149,50 Ft (ÁFA nélkül)
Erre a termékre 1 395,00 Ft összegű újratekercselési díjat számolunk fel
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóNXP
Gyártói cikkszámAFT20S015GNR1
Rendelési kód2890592RL
TermékskálaAFT20S015GN
Műszaki adatlap
Drain Source Voltage Vds65V
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation11W
Operating Frequency Min1.805GHz
Operating Frequency Max2.7GHz
Transistor Case StyleTO-270G
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product RangeAFT20S015GN
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Termékáttekintés
- N channel enhancement mode Lateral MOSFET, RF power LDMOS transistor
- Greater negative gate--source voltage range for improved Class C operation
- Designed for digital predistortion error correction systems
- Optimized for doherty applications
- 17.6dB typical power gain (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Drain efficiency is 22.0% typical (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Adjacent channel power ratio is -44.0dBc typical (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Typical input return loss is -14dB (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- 0.05dB typical gain flatness in 60MHz bandwidth (at Pout = 1.5W Avg.)
- 2 bit TO--270G package, operating junction temperature range from -40°C to +225°C
Műszaki adatok
Drain Source Voltage Vds
65V
Power Dissipation
11W
Operating Frequency Max
2.7GHz
No. of Pins
2Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
AFT20S015GN
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.805GHz
Transistor Case Style
TO-270G
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 3 - 168 hours
Műszaki dokumentumok (2)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:United States
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:United States
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.0003
Termékkövethetőség