Oldal nyomtatása
BF512,215
RF FET Transistor, 20 V, 30 mA, 250 mW, TO-236AB
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Termékinformáció
GyártóNXP
Gyártói cikkszámBF512,215
Rendelési kód2985161RL
Műszaki adatlap
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id30mA
Power Dissipation250mW
Power Dissipation Pd250mW
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max-
Transistor Case StyleTO-236AB
RF Transistor CaseTO-236AB
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Műszaki adatok
Drain Source Voltage Vds
20V
Power Dissipation
250mW
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
TO-236AB
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
30mA
Power Dissipation Pd
250mW
Operating Frequency Max
-
RF Transistor Case
TO-236AB
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Műszaki dokumentumok (1)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Thailand
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Thailand
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.0003
Termékkövethetőség