Oldal nyomtatása
FDN358P
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 1.6 A, 0.125 ohm, SOT-23, Surface Mount
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
33 075 Van Raktáron
Többre van szüksége?
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
| Mennyiség | |
|---|---|
| 5+ | 161,190 Ft |
| 10+ | 113,400 Ft |
| 100+ | 91,125 Ft |
| 500+ | 74,520 Ft |
| 1000+ | 65,610 Ft |
| 5000+ | 50,625 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each (Supplied on Cut Tape)
Legalább: 5
Több: 5
805,95 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóONSEMI
Gyártói cikkszámFDN358P
Rendelési kód9846328
Műszaki adatlap
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1.6A
Drain Source On State Resistance0.125ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
Power Dissipation560mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Termékáttekintés
The FDN358P is a P-channel logic level MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It comes with high power version of industry standard SOT-23 package. Identical pin-out to SOT-23 with 30% higher power handling capability. It is well suited for load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion application.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- 4nC typical low gate charge
Műszaki adatok
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.6A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
560mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.125ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Műszaki dokumentumok (2)
Alternatíva a következőhöz: FDN358P
2 termék található
Társított termékek
2 termék található
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Philippines
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Philippines
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.000033
Termékkövethetőség