Oldal nyomtatása
FDN360P
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Surface Mount
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóONSEMI
Gyártói cikkszámFDN360P
Rendelési kód9846336
TermékskálaPowerTrench® MOSFET
Műszaki adatlap
143 556 Van Raktáron
Többre van szüksége?
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
| Mennyiség | |
|---|---|
| 5+ | 221,130 Ft |
| 10+ | 140,130 Ft |
| 100+ | 79,785 Ft |
| 500+ | 68,040 Ft |
| 1000+ | 61,155 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each (Supplied on Cut Tape)
Legalább: 5
Több: 5
1 105,65 Ft (ÁFA nélkül)
Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóONSEMI
Gyártói cikkszámFDN360P
Rendelési kód9846336
TermékskálaPowerTrench® MOSFET
Műszaki adatlap
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench® MOSFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Termékáttekintés
The FDN360P is a surface mount, single P channel PowerTrench MOSFET in superSOT-23 package. PowerTrench process has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate charge for superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications.
- High performance trench technology for extremely low Rds(ON)
- Low gate charge typically 6.2nC
- Drain to source voltage (Vds) of -30V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) of -2A at 25°C
- Power dissipation (Pd) of 500mW
- Low on state resistance of 100mohm at Vgs -4.5V
- Operating temperature range from -55°C to 150°C
Műszaki adatok
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
No. of Pins
3Pins
Product Range
PowerTrench® MOSFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Műszaki dokumentumok (3)
Alternatíva a következőhöz: FDN360P
2 termék található
Társított termékek
2 termék található
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Philippines
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Philippines
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.000454