Oldal nyomtatása
FDS3890
Dual MOSFET, N Channel, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
1785 Van Raktáron
Többre van szüksége?
Kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Standard kiszállítás a 17:00 előtt leadott rendelésekre
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 988,200 Ft |
| 10+ | 639,900 Ft |
| 100+ | 437,400 Ft |
| 500+ | 350,325 Ft |
| 1000+ | 339,390 Ft |
| 5000+ | 325,620 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
988,20 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóONSEMI
Gyártói cikkszámFDS3890
Rendelési kód2101472
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel80V
Drain Source Voltage Vds P Channel80V
Continuous Drain Current Id N Channel4.7A
Continuous Drain Current Id P Channel4.7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.034ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.034ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Termékáttekintés
The FDS3890 is a PowerTrench® dual N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. This MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS (ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies) and DC-to-DC power supply designs with higher overall efficiency.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- ±20V Gate to source voltage
- 4.7A Continuous drain current
- 20A Pulsed drain current
Alkalmazások
Industrial, Power Management
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
80V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.034ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
80V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.034ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Műszaki dokumentumok (2)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.00001
Termékkövethetőség