Oldal nyomtatása
FGB20N60SFD
IGBT, 40 A, 2.2 V, 208 W, 600 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pins
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Továbbiakban nem gyártják
Termékinformáció
GyártóONSEMI
Gyártói cikkszámFGB20N60SFD
Rendelési kód3615744
Műszaki adatlap
Continuous Collector Current40A
Collector Emitter Saturation Voltage2.2V
Power Dissipation208W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-263AB (D2PAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Műszaki adatok
Continuous Collector Current
40A
Power Dissipation
208W
Transistor Case Style
TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.2V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Műszaki dokumentumok (2)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Nem
RoHS ftalát-kompatibilitás:Nem
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.1