Oldal nyomtatása
FQD8P10TM
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252AA, Surface Mount
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
7805 Van Raktáron
Többre van szüksége?
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
| Mennyiség | |
|---|---|
| 100+ | 198,045 Ft |
| 500+ | 153,900 Ft |
| 1000+ | 139,725 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each (Supplied on Cut Tape)
Legalább: 100
Több: 5
21 199,50 Ft (ÁFA nélkül)
Erre a termékre 1 395,00 Ft összegű újratekercselési díjat számolunk fel
Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóONSEMI
Gyártói cikkszámFQD8P10TM
Rendelési kód2453899RL
Műszaki adatlap
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id6.6A
Drain Source On State Resistance0.53ohm
On Resistance Rds(on)0.41ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation44W
Power Dissipation Pd44W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Termékáttekintés
The FQD8P10TM is a QFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
- 100% avalanche tested
- 12nC typical low gate charge
- 30pF typical low Crss
Figyelmeztetések
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Műszaki adatok
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.53ohm
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
44W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
6.6A
On Resistance Rds(on)
0.41ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
44W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Műszaki dokumentumok (2)
Alternatíva a következőhöz: FQD8P10TM
1 terméktalálat
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Y-Ex
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.00026