HGT1S10N120BNST
IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pins
Többre van szüksége?
| Mennyiség | |
|---|---|
| 100+ | 2 462,400 Ft |
| 500+ | 2 361,150 Ft |
| 1000+ | 2 259,900 Ft |
Termékinformáció
Termékáttekintés
The HGT1S10N120BNST is a N-channel Non-punch Through (NPT) IGBT ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as UPS and solar inverter. It is new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. It combines the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor.
- Short-circuit rating
- Avalanche rated
- 2.45V @ IC = 10A Low saturation voltage
- 140ns Fall time @ TJ = 150°C
- 298W Total power dissipation @ TC = 25°C
Alkalmazások
Power Management, Motor Drive & Control
Figyelmeztetések
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Műszaki adatok
35A
2.45V
298W
1.2kV
TO-263AB
150°C
-
Lead (27-Jun-2024)
35A
2.45V
298W
1.2kV
3Pins
Surface Mount
-
Műszaki dokumentumok (3)
Társított termékek
2 termék található
Jogszabályok és környezetvédelem
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
RoHS
RoHS
Termékmegfelelőségi tanúsítvány