HGTD1N120BNS9A
IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pins
Többre van szüksége?
| Mennyiség | |
|---|---|
| 5+ | 542,700 Ft |
| 50+ | 413,100 Ft |
| 100+ | 327,645 Ft |
| 500+ | 263,655 Ft |
| 1000+ | 244,215 Ft |
Termékinformáció
Termékáttekintés
The HGTD1N120BNS9A is a N-channel Non-punch Through (NPT) IGBT ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as UPS and solar inverter. It is new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. It combines the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor.
- Short-circuit rating
- Avalanche rated
- 2.5V @ IC = 1A Low saturation voltage
- 258ns Fall time @ TJ = 150°C
- 298W Total power dissipation @ TC = 25°C
Alkalmazások
Power Management, Motor Drive & Control
Figyelmeztetések
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Műszaki adatok
5.3A
60W
TO-252AA
150°C
-
2.5V
1.2kV
3Pins
Surface Mount
Lead (27-Jun-2024)
Műszaki dokumentumok (3)
Társított termékek
2 termék található
Jogszabályok és környezetvédelem
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
RoHS
RoHS
Termékmegfelelőségi tanúsítvány