Oldal nyomtatása
MJ11015G
Darlington Transistor, PNP, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pins
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
1165 Van Raktáron
Többre van szüksége?
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 3 078,000 Ft |
| 5+ | 2 697,300 Ft |
| 10+ | 2 312,550 Ft |
| 50+ | 2 158,650 Ft |
| 100+ | 2 000,700 Ft |
| 250+ | 1 960,200 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
3 078,00 Ft (ÁFA nélkül)
Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóONSEMI
Gyártói cikkszámMJ11015G
Rendelési kód9556575
Műszaki adatlap
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo120V
Power Dissipation Pd200W
DC Collector Current30A
RF Transistor CaseTO-3
No. of Pins2Pins
DC Current Gain hFE1000hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Termékáttekintés
The MJ11015G from On Semiconductor is a through hole, 30A, 120V PNP darlington bipolar power transistor in TO-204AA(TO-3) package. Features high DC current gain and monolithic construction with built-in base emitter shunt resistor. It functions as an output device in complementary general purpose amplifier applications.
- Collector to emitter voltage (Vce) of -120V
- Collector current (Ic) of -30A
- Power dissipation of 200W
- Operating junction temperature range from -55°C to 200°C
- Collector emitter breakdown Voltage of -120V
- Collector emitter saturation voltage of -3V at 20A collector current
Alkalmazások
Signal Processing, Power Management, Portable Devices, Consumer Electronics, Industrial
Műszaki adatok
Transistor Polarity
PNP
Power Dissipation Pd
200W
RF Transistor Case
TO-3
DC Current Gain hFE
1000hFE
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
120V
DC Collector Current
30A
No. of Pins
2Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Műszaki dokumentumok (2)
Alternatíva a következőhöz: MJ11015G
1 terméktalálat
Társított termékek
1 terméktalálat
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Mexico
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Mexico
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Y-Ex
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.011793
Termékkövethetőség