Oldal nyomtatása
NTLJD3119CTBG
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.037 ohm
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
870 Van Raktáron
Többre van szüksége?
Kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Standard kiszállítás a 17:00 előtt leadott rendelésekre
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 473,850 Ft |
| 10+ | 296,460 Ft |
| 100+ | 195,615 Ft |
| 500+ | 153,900 Ft |
| 1000+ | 137,295 Ft |
| 5000+ | 121,500 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
473,85 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóONSEMI
Gyártói cikkszámNTLJD3119CTBG
Rendelési kód2317602
Műszaki adatlap
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel4.6A
Continuous Drain Current Id P Channel4.6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.037ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.037ohm
Transistor Case StyleWDFN
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel2.3W
Power Dissipation P Channel2.3W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Termékáttekintés
The NTLJD3119CTBG is a N/P-channel complementary MOSFET designed for load management devices like PDAs, Cellular Phones and Hard Drives. It is suitable for synchronous DC-to-DC conversion circuits and colour display, camera flash regulator applications.
- Package with exposed drain pad for excellent thermal conduction
- Footprint same as SC-88 package
- Leading Edge Trench technology for low ON-resistance
- 1.8V Gate threshold voltage
- Low profile (<lt/>0.8mm) for easy fit in thin environments
Alkalmazások
Industrial, Power Management, Portable Devices
Műszaki adatok
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.6A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.037ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
2.3W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.037ohm
Transistor Case Style
WDFN
Power Dissipation N Channel
2.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Műszaki dokumentumok (2)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Malaysia
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Malaysia
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.000005
Termékkövethetőség