Oldal nyomtatása
NVD5802NT4G-VF01
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 101 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Továbbiakban nem gyártják
Termékinformáció
GyártóONSEMI
Gyártói cikkszámNVD5802NT4G-VF01
Rendelési kód3616612
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id101A
Drain Source On State Resistance4400µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation93.75W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
101A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
93.75W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
4400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Műszaki dokumentumok (2)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Vietnam
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Vietnam
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Y-Ex
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.1
Termékkövethetőség