Oldal nyomtatása
NVTFS5116PLTAG
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 6 A, 0.052 ohm, WDFN, Surface Mount
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
4071 Van Raktáron
Többre van szüksége?
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 417,150 Ft |
| 10+ | 277,425 Ft |
| 50+ | 243,810 Ft |
| 200+ | 210,195 Ft |
| 500+ | 172,125 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each (Supplied on Cut Tape)
Legalább: 1
Több: 1
417,15 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóONSEMI
Gyártói cikkszámNVTFS5116PLTAG
Rendelési kód2533214
Műszaki adatlap
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.052ohm
Transistor Case StyleWDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation3.2W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Termékáttekintés
NVTFS5116PLTAG is a single P-channel, power MOSFET. It has low RDS(on) to minimize conduction losses and low capacitance to minimize driver losses.
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Drain-to-source breakdown voltage is -60V minimum at (VGS = 0 V, ID = 250µA)
- Gate-to- source leakage current is ±100nA maximum at (VDS = 0V, VGS = 20V)
- Drain-to-source on resistance is 37mohm typical at (VGS = -10V, ID = -7A)
- Input capacitance is 1258pF typical at (VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = -25V)
- Total gate charge is 25nC typical at (VGS = -10V, VDS = -48V, ID = -7A)
- Turn-on delay time is 14ns typical at (VGS = -4.5V, VDS = -48V, ID = -7A)
- Rise time is 68ns typical at (VGS = -4.5V, VDS = -48V, ID = -7A)
- Operating junction temperature range from -55°C to +175°C
- WDFN8 package
Műszaki adatok
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
WDFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.2W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.052ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Műszaki dokumentumok (2)
Alternatíva a következőhöz: NVTFS5116PLTAG
1 terméktalálat
Társított termékek
1 terméktalálat
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Malaysia
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Malaysia
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Y-Ex
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.000072
Termékkövethetőség