Oldal nyomtatása
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Továbbiakban nem gyártják
Termékinformáció
GyártóONSEMI
Gyártói cikkszámNXH35C120L2C2S1G
Rendelési kód3617519
Műszaki adatlap
IGBT ConfigurationThree Phase CIB [Converter + Inverter + Brake]
Continuous Collector Current35A
Collector Emitter Saturation Voltage2.4V
Power Dissipation20mW
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleDIP
IGBT TerminationSolder
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (14-Jun-2023)
Műszaki adatok
IGBT Configuration
Three Phase CIB [Converter + Inverter + Brake]
Collector Emitter Saturation Voltage
2.4V
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Solder
IGBT Technology
-
Product Range
-
Continuous Collector Current
35A
Power Dissipation
20mW
Transistor Case Style
DIP
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (14-Jun-2023)
Műszaki dokumentumok (3)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (14-Jun-2023)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.1
Termékkövethetőség