Oldal nyomtatása
BDV65BG
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 125 W, 10 A, TO-247, 3 Pins
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Továbbiakban nem gyártják
Termékinformáció
GyártóONSEMI
Gyártói cikkszámBDV65BG
Rendelési kód9555951
Műszaki adatlap
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Power Dissipation Pd125W
DC Collector Current10A
RF Transistor CaseTO-247
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE1000hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Alternatíva a következőhöz: BDV65BG
1 terméktalálat
Termékáttekintés
The BDV65BG is a 100V Silicon NPN Bipolar Darlington Plastic Power Transistor that can be used as output devices in complementary general purpose amplifier applications. The transistor has monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.
- High DC current gain
- Collector-base voltage (Vcbo = 100V)
- Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)
Alkalmazások
Industrial
Műszaki adatok
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
125W
RF Transistor Case
TO-247
DC Current Gain hFE
1000hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
DC Collector Current
10A
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Műszaki dokumentumok (4)
Társított termékek
1 terméktalálat
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.008772
Termékkövethetőség