Oldal nyomtatása
FDMT80080DC
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 254 A, 0.00135 ohm, Dual Cool 88, Surface Mount
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóONSEMI
Gyártói cikkszámFDMT80080DC
Rendelési kód2825183RL
TermékskálaPowerTrench Series
Műszaki adatlap
4699 Van Raktáron
Többre van szüksége?
Kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Standard kiszállítás a 17:00 előtt leadott rendelésekre
| Mennyiség | |
|---|---|
| 100+ | 1 053,000 Ft |
| 500+ | 980,100 Ft |
| 1500+ | 976,050 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each (Supplied on Cut Tape)
Legalább: 100
Több: 5
106 695,00 Ft (ÁFA nélkül)
Erre a termékre 1 395,00 Ft összegű újratekercselési díjat számolunk fel
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóONSEMI
Gyártói cikkszámFDMT80080DC
Rendelési kód2825183RL
TermékskálaPowerTrench Series
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id254A
Drain Source On State Resistance0.00135ohm
Transistor Case StyleDual Cool 88
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation156W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench Series
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Termékáttekintés
FDMT80080DC is a N-channel dual Cool™ 88 PowerTrench® MOSFET. It is produced using Fairchild semiconductor’s advanced PowerTrench® process. Advancements in both silicon and dual Cool™ package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance by extremely low junction-to-ambient thermal resistance. Application includes OringFET / Load switching, synchronous rectification, DC-DC conversion.
- Advanced package and silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
- Next generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery
- 100% UIL tested
- Drain to source breakdown voltage is 80V (min, ID = 250μA, VGS = 0V, TJ = 25°C)
- Gate to source leakage current is 100nA (max, VGS = ±20V, VDS = 0V, TJ = 25°C)
- Gate to source threshold voltage is 3.1V (typ, VGS = VDS, ID = 250μA)
- Input capacitance is 14800pF (min, VDS = 40V, VGS = 0V, f = 1MHz)
- Gate resistance is 1.8ohm (typ, TJ = 25°C)
- Turn-on delay time is 67ns (typ, VDD = 40V, ID = 36A, VGS = 10V, RGEN = 6ohm)
- Dual Cool™ package, operating and storage junction temperature range from -55 to +150°C
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
254A
Transistor Case Style
Dual Cool 88
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
156W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.00135ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
PowerTrench Series
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Műszaki dokumentumok (2)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Philippines
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Philippines
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Y-Ex
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.0004
Termékkövethetőség