Oldal nyomtatása
NTH4L032N065M3S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 50 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóONSEMI
Gyártói cikkszámNTH4L032N065M3S
Rendelési kód4583071
TermékskálaEliteSiC Series
Műszaki adatlap
370 Van Raktáron
Többre van szüksége?
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 3 750,300 Ft |
| 5+ | 3 296,700 Ft |
| 10+ | 2 843,100 Ft |
| 50+ | 2 685,150 Ft |
| 100+ | 2 523,150 Ft |
| 250+ | 2 365,200 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
3 750,30 Ft (ÁFA nélkül)
Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Termékinformáció
GyártóONSEMI
Gyártói cikkszámNTH4L032N065M3S
Rendelési kód4583071
TermékskálaEliteSiC Series
Műszaki adatlap
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.044ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation187W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Termékáttekintés
NTH4L032N065M3S is a 650V M3S planar SiC MOSFET in a 4 pin TO-247 package. It is optimized for fast switching applications. Planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn off spikes on the gate. This family has optimum performance when driven with 18V gate drive but also works well with 15V gate drive. Typical applications include SMPS, solar inverters, UPS, energy storages, EV charging infrastructure.
- Drain to source voltage is 650V, maximum drain current is 50A
- Typical RDS(ON) = 32mohm at VGS = 18V
- Ultra low gate charge QG(tot) = 69nC
- High speed switching with low capacitance (Coss = 114pF)
- 100% avalanche tested
- Operating junction temperature range from -55 to +175°C
Műszaki adatok
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
50A
Drain Source On State Resistance
0.044ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
187W
Product Range
EliteSiC Series
Műszaki dokumentumok (1)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Meghatározásra vár
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.000001
Termékkövethetőség