Oldal nyomtatása
NVD5802NT4G.
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 101 A, 0.0036 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Termékinformáció
GyártóONSEMI
Gyártói cikkszámNVD5802NT4G.
Rendelési kód2724429
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id101A
Drain Source On State Resistance0.0036ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation93.75W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Alternatíva a következőhöz: NVD5802NT4G.
2 termék található
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
101A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
93.75W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0036ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Műszaki dokumentumok (3)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Malaysia
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Malaysia
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Meghatározásra vár
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.000426