Oldal nyomtatása
NVMYS1D3N04CTWG
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 252 A, 1150 µohm, LFPAK, Surface Mount
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
5307 Van Raktáron
Többre van szüksége?
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
| Mennyiség | |
|---|---|
| 100+ | 676,350 Ft |
| 500+ | 672,300 Ft |
| 1000+ | 668,250 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each (Supplied on Cut Tape)
Legalább: 100
Több: 1
69 030,00 Ft (ÁFA nélkül)
Erre a termékre 1 395,00 Ft összegű újratekercselési díjat számolunk fel
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóONSEMI
Gyártói cikkszámNVMYS1D3N04CTWG
Rendelési kód2981244RL
Műszaki adatlap
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id252A
Drain Source On State Resistance1150µohm
On Resistance Rds(on)960µohm
Transistor Case StyleLFPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation134W
Power Dissipation Pd134W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Termékáttekintés
- Single N-channel power MOSFET
- Low RDS(on) to minimize conduction losses
- Low QG and capacitance to minimize driver losses
- AEC−Q101 qualified and PPAP capable
- 40V minimum drain to source breakdown voltage (VGS = 0V, ID = 250A)
- 100nA maximum gate to source leakage current (VDS = 0V, VGS = 20V)
- 2.5 to 3.5V gate threshold voltage range (VGS = VDS, ID = 180µA)
- 15ns typical turn on delay time (GS = 10V, VDS = 32V, ID = 50A, RG = 2.5ohm)
- 22ns typical rise time (GS = 10V, VDS = 32V, ID = 50A, RG = 2.5ohm)
- LFPAK4 package, operating junction and storage temperature range from -55 to +175°C
Figyelmeztetések
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Műszaki adatok
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
1150µohm
Transistor Case Style
LFPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
134W
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
252A
On Resistance Rds(on)
960µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Power Dissipation Pd
134W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Műszaki dokumentumok (2)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Philippines
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Philippines
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Y-Ex
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.001361