Oldal nyomtatása
TP70H480G4JSG-TR
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 700 V, 5 A, 0.56 ohm, 5.2 nC, QFN, Surface Mount
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóRENESAS
Gyártói cikkszámTP70H480G4JSG-TR
Rendelési kód4680961RL
TermékskálaSuperGaN Series
Műszaki adatlap
4991 Van Raktáron
Többre van szüksége?
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
| Mennyiség | |
|---|---|
| 100+ | 296,865 Ft |
| 500+ | 266,085 Ft |
| 1000+ | 245,430 Ft |
| 5000+ | 232,470 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each (Supplied on Cut Tape)
Legalább: 100
Több: 1
31 081,50 Ft (ÁFA nélkül)
Erre a termékre 1 395,00 Ft összegű újratekercselési díjat számolunk fel
Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóRENESAS
Gyártói cikkszámTP70H480G4JSG-TR
Rendelési kód4680961RL
TermékskálaSuperGaN Series
Műszaki adatlap
Drain Source Voltage Vds700V
Continuous Drain Current Id5A
Drain Source On State Resistance0.56ohm
Typical Gate Charge5.2nC
Transistor Case StyleQFN
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Product RangeSuperGaN Series
Qualification-
Termékáttekintés
TP70H480G4JSG-TR is a 700V, 480mohm SuperGaN® Gallium Nitride (GaN) FET. It is a normally-off device using Renesas’ Gen IV platform. It combines a state-of-the art high voltage GaN HEMT with a low voltage silicon MOSFET to offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN® platform uses advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability while improving efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Applications include consumer, power adapters, low power SMPS and lighting.
- Dynamic RDS(on)eff production tested
- Transient over-voltage capability and E-mode gate driver operation without zener protection
- Very low QRR
- Reduced crossover loss
- 2kV HBM ESD rating
- Achieves increased efficiency in both hard- and soft-switched circuits
- Easy to drive with commonly used gate drivers
Műszaki adatok
Drain Source Voltage Vds
700V
Drain Source On State Resistance
0.56ohm
Transistor Case Style
QFN
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
5A
Typical Gate Charge
5.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
SuperGaN Series
Műszaki dokumentumok (1)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Philippines
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Philippines
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.000001
Termékkövethetőség