Oldal nyomtatása
SKM100GB125DN
IGBT Module, Half Bridge, 100 A, 3.3 V, 150 °C, Module
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
2 Van Raktáron
Többre van szüksége?
Kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Standard kiszállítás a 17:00 előtt leadott rendelésekre
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 76 852,800 Ft |
| 5+ | 72 438,300 Ft |
| 10+ | 67 740,300 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
76 852,80 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóSEMIKRON
Gyártói cikkszámSKM100GB125DN
Rendelési kód2423681
Műszaki adatlap
Transistor PolarityDual N Channel
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current100A
DC Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.3V
Collector Emitter Saturation Voltage3.3V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Junction Temperature Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyNPT IGBT [Ultrafast]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Termékáttekintés
The SKM100GB125DN is a 1200V N-channel Ultra Fast IGBT Module with fast and soft inverse CAL diodes. This transistor is ideal for resonant inverters up to 100kHz and Electronic welders as well inductive heating.
- Low inductance
- Short tail current with low temperature dependence
- High short circuit capability
- Isolated copper baseplate using DCB (Direct Copper Bonding) technology
- Large clearance (10mm) and creepage distances (20mm)
Alkalmazások
Power Management, Industrial
Figyelmeztetések
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device however ESD packaging is not necessary. Due to technical requirements, component may contain dangerous substances.
Műszaki adatok
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
100A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
3.3V
Power Dissipation
-
Junction Temperature Tj Max
150°C
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
100A
Collector Emitter Saturation Voltage
3.3V
Power Dissipation Pd
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
NPT IGBT [Ultrafast]
Product Range
-
Műszaki dokumentumok (1)
Társított termékek
4 termék található
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Italy
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Italy
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.18
Termékkövethetőség