Oldal nyomtatása
SKM400GB12V
IGBT Module, Half Bridge, 612 A, 1.75 V, 175 °C, Module
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
24 Van Raktáron
Többre van szüksége?
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 148 663,350 Ft |
| 5+ | 147 051,450 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
148 663,35 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóSEMIKRON
Gyártói cikkszámSKM400GB12V
Rendelési kód2423702
Műszaki adatlap
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual N Channel
DC Collector Current612A
Continuous Collector Current612A
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Junction Temperature Tj Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyV-IGBT
Transistor MountingPanel
Product Range-
Termékáttekintés
The SKM400GB12V is a SEMITRANS® 3 IGBT Module for use with AC inverter drives and electronic welders. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Copper Bonding) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- V-IGBT = 6th generation Trench V-IGBT (Fuji)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- Lowest switching losses at high di/dt
- UL recognized, file number E63532
Alkalmazások
Power Management, Maintenance & Repair
Műszaki adatok
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
612A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature Tj Max
175°C
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
612A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.75V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
V-IGBT
Product Range
-
Műszaki dokumentumok (2)
Alternatíva a következőhöz: SKM400GB12V
3 termék található
Társított termékek
4 termék található
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Slovak Republic
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Slovak Republic
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.18