Oldal nyomtatása
SKM75GB12T4
IGBT Module, Half Bridge, 115 A, 1.85 V, 175 °C, Module
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
20 Van Raktáron
16 Már most lefoglalhat készletet
Kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Standard kiszállítás a 17:00 előtt leadott rendelésekre
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 31 557,600 Ft |
| 5+ | 29 281,500 Ft |
| 10+ | 26 608,500 Ft |
| 50+ | 25 640,550 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
31 557,60 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóSEMIKRON
Gyártói cikkszámSKM75GB12T4
Rendelési kód2423705
Műszaki adatlap
Transistor PolarityDual N Channel
IGBT ConfigurationHalf Bridge
DC Collector Current115A
Continuous Collector Current115A
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max175°C
Junction Temperature Tj Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 Fast [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Termékáttekintés
The SKM75GB12T4 is a SEMITRANS® 2 fast IGBT Module for use with AC inverter drives and UPS. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- IGBT4 = 4th generation medium fast Trench IGBT (Infineon)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- For higher switching frequencies up to 12kHz
- UL recognized, file number E63532
Alkalmazások
Power Management, Maintenance & Repair
Műszaki adatok
Transistor Polarity
Dual N Channel
DC Collector Current
115A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Junction Temperature Tj Max
175°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
115A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
IGBT 4 Fast [Trench]
Product Range
-
Műszaki dokumentumok (2)
Alternatíva a következőhöz: SKM75GB12T4
5 termék található
Társított termékek
3 termék található
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Slovak Republic
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Slovak Republic
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.18
Termékkövethetőség