Oldal nyomtatása
SKM75GB12V
IGBT Module, Half Bridge, 114 A, 1.85 V, 175 °C, Module
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Rendelhető
Értesítsenek ismét készleten lévő termékről
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 36 616,050 Ft |
| 5+ | 33 975,450 Ft |
| 10+ | 30 873,150 Ft |
| 50+ | 29 751,300 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
36 616,05 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóSEMIKRON
Gyártói cikkszámSKM75GB12V
Rendelési kód2423706
Műszaki adatlap
Transistor PolarityDual N Channel
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current114A
DC Collector Current114A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature Tj Max175°C
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyV-IGBT
Transistor MountingPanel
Product Range-
Termékáttekintés
The SKM75GB12V is a SEMITRANS® 2 IGBT Module for use with AC inverter drives and electronic welders. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Copper Bonding) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- V-IGBT = 6th generation Trench V-IGBT (Fuji)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- Lowest switching losses at high di/dt
- UL recognized, file number E63532
Alkalmazások
Power Management, Maintenance & Repair
Műszaki adatok
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
114A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
114A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature Tj Max
175°C
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
V-IGBT
Product Range
-
Műszaki dokumentumok (2)
Alternatíva a következőhöz: SKM75GB12V
1 terméktalálat
Társított termékek
4 termék található
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Slovak Republic
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Slovak Republic
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.18
Termékkövethetőség