Oldal nyomtatása
GD200HFY120C2S
IGBT Module, Half Bridge, 309 A, 2 V, 1.006 kW, 150 °C, Module
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
37 Van Raktáron
Többre van szüksége?
Kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Standard kiszállítás a 17:00 előtt leadott rendelésekre
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 35 113,500 Ft |
| 5+ | 33 096,600 Ft |
| 10+ | 30 950,100 Ft |
| 50+ | 29 828,250 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
35 113,50 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóSTARPOWER
Gyártói cikkszámGD200HFY120C2S
Rendelési kód2986062
Műszaki adatlap
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current309A
DC Collector Current309A
Collector Emitter Saturation Voltage2V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2V
Power Dissipation1.006kW
Power Dissipation Pd1.006kW
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Termékáttekintés
Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.
Figyelmeztetések
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Műszaki adatok
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
309A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2V
Power Dissipation Pd
1.006kW
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Continuous Collector Current
309A
Collector Emitter Saturation Voltage
2V
Power Dissipation
1.006kW
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Műszaki dokumentumok (1)
Alternatíva a következőhöz: GD200HFY120C2S
1 terméktalálat
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:To Be Advised
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.313704