Oldal nyomtatása
SCT30N120
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, HiP247
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
834 Van Raktáron
Többre van szüksége?
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 7 727,400 Ft |
| 5+ | 6 670,350 Ft |
| 10+ | 5 609,250 Ft |
| 50+ | 5 597,100 Ft |
| 100+ | 5 589,000 Ft |
| 250+ | 5 576,850 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
7 727,40 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóSTMICROELECTRONICS
Gyártói cikkszámSCT30N120
Rendelési kód2451116
Műszaki adatlap
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleHiP247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.6V
Power Dissipation270W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Termékáttekintés
The SCT30N120 is a N-channel silicon carbide Power MOSFET, unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance independent of temperature. Suitable for high efficiency and high power density applications.
- Very tight variation of on-resistance vs. temperature
- Slight variation of switching losses vs. temperature
- Very high operating temperature capability (200°C)
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Low capacitance
Alkalmazások
Industrial, Power Management
Figyelmeztetések
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Műszaki adatok
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
40A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.6V
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
HiP247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
270W
Product Range
-
Műszaki dokumentumok (3)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.008051
Termékkövethetőség