Oldal nyomtatása
STB46NF30
Power MOSFET, N Channel, 300 V, 42 A, 0.063 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóSTMICROELECTRONICS
Gyártói cikkszámSTB46NF30
Rendelési kód2807184
TermékskálaSTripFET II
Műszaki adatlap
3134 Van Raktáron
Többre van szüksége?
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 1 838,700 Ft |
| 10+ | 1 235,250 Ft |
| 100+ | 878,850 Ft |
| 500+ | 830,250 Ft |
| 1000+ | 684,450 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each (Supplied on Cut Tape)
Legalább: 1
Több: 1
1 838,70 Ft (ÁFA nélkül)
Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóSTMICROELECTRONICS
Gyártói cikkszámSTB46NF30
Rendelési kód2807184
TermékskálaSTripFET II
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds300V
Continuous Drain Current Id42A
Drain Source On State Resistance0.063ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET II
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Termékáttekintés
STB46NF30 is a N-channel STripFET™ II power MOSFET. It has been developed using STMicroelectronics’ unique STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the device suitable for use as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC/DC converter for telecom and computer applications, and applications with low gate charge driving requirements. Suitable for switching applications.
- Exceptional dv/dt capability, 100% avalanche tested, low gate charge
- 300V min drain-source voltage (VGS = 0V, ID = 1mA, TC = 25°C)
- 0.063ohm typ static drain-source on-resistance (VGS = 10V, ID = 17A, TC = 25°C)
- 42A drain current (continuous) at TC = 25°C, 300W total dissipation (TC = 25°C)
- 1oµA max zero gate voltage drain current (VGS = 0V, VDS = 300V, TC = 125°C)
- 3200pF typ input capacitance (VDS = 25V, f = 1MHz, VGS = 0V)
- 442pF typ output capacitance (VDS = 25V, f = 1MHz, VGS = 0V)
- 38ns typ rise time (VDD = 150V, ID = 17A, RG = 4.7ohm, VGS = 10V)
- 46ns typ fall time (VDD = 150V, ID = 17A, RG = 4.7ohm, VGS = 10V)
- D²PAK package, operating junction temperature range from -55 to 175°C
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
42A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
300V
Drain Source On State Resistance
0.063ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STripFET II
MSL
MSL 1 - Unlimited
Műszaki dokumentumok (2)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.0023