Oldal nyomtatása
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Termékinformáció
GyártóSTMICROELECTRONICS
Gyártói cikkszámSTGD5NB120SZT4
Rendelési kód2354518
Műszaki adatlap
Continuous Collector Current10A
Collector Emitter Saturation Voltage1.3V
Power Dissipation75W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Termékáttekintés
The STGD5NB120SZT4 is a 1200V Low Drop Internally Clamped IGBT that utilizes the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behaviour. The IGBT is ideal for use in inrush current limitation and pre-heating for electronic lamp ballast. Improved switch-off energy spread versus increasing temperature result in reduced switching losses.
- Low on-voltage drop
- High current capability
- Off losses include tail current
- High voltage clamping, low VCE (sat) for reduced conduction losses
- Tight parameter distribution for design simplification and easy paralleling
Alkalmazások
Lighting
Műszaki adatok
Continuous Collector Current
10A
Power Dissipation
75W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.3V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Műszaki dokumentumok (2)
Társított termékek
3 termék található
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85423300
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Meghatározásra vár
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.000539
Termékkövethetőség