Oldal nyomtatása
STP8NK100Z
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 6.5 A, 1.85 ohm, TO-220, Through Hole
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
2524 Van Raktáron
Többre van szüksége?
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 2 170,800 Ft |
| 10+ | 1 202,850 Ft |
| 100+ | 1 129,950 Ft |
| 500+ | 943,650 Ft |
| 1000+ | 911,250 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
2 170,80 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóSTMICROELECTRONICS
Gyártói cikkszámSTP8NK100Z
Rendelési kód1097115
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id6.5A
Drain Source On State Resistance1.85ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation160W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Termékáttekintés
The STP8NK100Z is a 1000V N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- Extremely high dv/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Improved ESD capability
- Very low intrinsic capacitance
Alkalmazások
Industrial, Power Management
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.5A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
160W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
1.85ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Műszaki dokumentumok (2)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Y-Ex
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.008165