Többre van szüksége?
Mennyiség | |
---|---|
1+ | 21 060,000 Ft |
5+ | 20 889,900 Ft |
10+ | 18 848,700 Ft |
50+ | 18 196,650 Ft |
Termékinformáció
Termékáttekintés
The TS1GSK64V6H is a 512M x 8 DRAM high-speed low power memory DDR3 SO-DIMM use DDR3 SDRAM and a 2048 bits serial EEPROM on a 240-pin printed circuit board. It is a Dual In-Line Memory Module and is intended for mounting into 240-pin edge connector sockets. The synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock. The data I/O transactions are possible on both edges of DQS, range of operation frequencies, programmable latencies allow the same device to be useful for a variety of high bandwidth, high performance memory system applications.
- 8-bit Pre-fetch
- Internal calibration through ZQ pin
- On die termination with ODT pin
- Serial presence detect with EEPROM
- Asynchronous reset
Alkalmazások
Computers & Computer Peripherals, Portable Devices
Műszaki adatok
8GB
PC3-12800
Notebook SODIMM
1.425V
1.5V
85°C
No SVHC (14-Jun-2023)
1600MHz
204-Pin DDR3 SO-DIMM
-
1.575V
0°C
-
Műszaki dokumentumok (1)
Jogszabályok és környezetvédelem
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
RoHS
RoHS
Termékmegfelelőségi tanúsítvány