Oldal nyomtatása
MXP120A080FW-GE3
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247AD
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
633 Van Raktáron
Többre van szüksége?
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 4 414,500 Ft |
| 5+ | 4 005,450 Ft |
| 10+ | 3 596,400 Ft |
| 50+ | 3 511,350 Ft |
| 100+ | 3 422,250 Ft |
| 250+ | 3 353,400 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
4 414,50 Ft (ÁFA nélkül)
Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóVISHAY
Gyártói cikkszámMXP120A080FW-GE3
Rendelési kód4561974
Műszaki adatlap
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleTO-247AD
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation139W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Termékáttekintés
MXP120A080FW-GE3 is a MaxSiC™ 1200V N-channel SiC MOSFET in a TO-247 package. Typical applications charger, auxiliary motor drive and DC/DC converter.
- Fast switching speed
- Short circuit withstand time 3μs
- 80mohm drain source on state resistance at VGS=20V
- 29A continuous drain current
- 139W power dissipation
- Operating junction temperature range from -55 to 150°C
Műszaki adatok
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
29A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
-
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247AD
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
139W
Product Range
-
Műszaki dokumentumok (1)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Y-Ex
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.000001