Oldal nyomtatása
SI1025X-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 60 V, 60 V, 190 mA, 190 mA, 4 ohm
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
16 283 Van Raktáron
Többre van szüksége?
Kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Standard kiszállítás a 17:00 előtt leadott rendelésekre
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 223,560 Ft |
| 10+ | 155,115 Ft |
| 100+ | 112,185 Ft |
| 500+ | 82,620 Ft |
| 1000+ | 63,180 Ft |
| 5000+ | 57,105 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
223,56 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóVISHAY
Gyártói cikkszámSI1025X-T1-GE3
Rendelési kód2335271
Műszaki adatlap
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel190mA
Continuous Drain Current Id P Channel190mA
Drain Source On State Resistance N Channel4ohm
Drain Source On State Resistance P Channel4ohm
Transistor Case StyleSC-89
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel250mW
Power Dissipation P Channel250mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Termékáttekintés
The SI1025X-T1-GE3 is a P-channel MOSFET designed for use with relays, solenoids, lamps, hammers, displays, memories and transistor driver, battery operated systems, power supply converter circuits and solid state relay applications. It offers ease in driving switches, low offset voltage, low-voltage operation, high-speed circuits, easily driven without buffer and small board area.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
- High-side switching
- 4Ω Low ON-resistance
- 2V Low threshold
- 20ns Fast switching speed
- 23pF Low input capacitance
- Miniature package
Alkalmazások
Industrial, Power Management
Műszaki adatok
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
190mA
Drain Source On State Resistance P Channel
4ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
250mW
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
190mA
Drain Source On State Resistance N Channel
4ohm
Transistor Case Style
SC-89
Power Dissipation N Channel
250mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Műszaki dokumentumok (2)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.0005
Termékkövethetőség