Oldal nyomtatása
SI2312CDS-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, SOT-23, Surface Mount
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
113 134 Van Raktáron
Többre van szüksége?
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
| Mennyiség | |
|---|---|
| 5+ | 199,665 Ft |
| 10+ | 130,815 Ft |
| 100+ | 87,480 Ft |
| 500+ | 69,255 Ft |
| 1000+ | 61,965 Ft |
| 5000+ | 43,335 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each (Supplied on Cut Tape)
Legalább: 5
Több: 5
998,32 Ft (ÁFA nélkül)
Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóVISHAY
Gyártói cikkszámSI2312CDS-T1-GE3
Rendelési kód1858940
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.0318ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max450mV
Power Dissipation1.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Termékáttekintés
The SI2312CDS-T1-GE3 is a 20V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for DC to DC converters and load switch for portable applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
Alkalmazások
Power Management, Portable Devices
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.0318ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
450mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Műszaki dokumentumok (2)
Alternatíva a következőhöz: SI2312CDS-T1-GE3
5 termék található
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:United States
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:United States
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.000045