Oldal nyomtatása
SI4963BDY-T1-E3
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.025 ohm
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Továbbiakban nem gyártják
Termékinformáció
GyártóVISHAY
Gyártói cikkszámSI4963BDY-T1-E3
Rendelési kód2335325
Műszaki adatlap
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel4.9A
Continuous Drain Current Id P Channel4.9A
Drain Source On State Resistance N Channel0.025ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.025ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.1W
Power Dissipation P Channel1.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Alternatíva a következőhöz: SI4963BDY-T1-E3
1 terméktalálat
Műszaki adatok
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.9A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.025ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.1W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.9A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.025ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Műszaki dokumentumok (3)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (10-Jun-2022)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.002268
Termékkövethetőség