Oldal nyomtatása
SI6562CDQ-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.18 ohm
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
17 258 Van Raktáron
Többre van szüksége?
Kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Standard kiszállítás a 17:00 előtt leadott rendelésekre
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 413,100 Ft |
| 10+ | 287,955 Ft |
| 100+ | 222,345 Ft |
| 500+ | 180,630 Ft |
| 1000+ | 177,795 Ft |
| 5000+ | 174,555 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
413,10 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóVISHAY
Gyártói cikkszámSI6562CDQ-T1-GE3
Rendelési kód2335341
Műszaki adatlap
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel6.7A
Continuous Drain Current Id P Channel6.7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.18ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.18ohm
Transistor Case StyleTSSOP
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.6W
Power Dissipation P Channel1.6W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Termékáttekintés
The SI6562CDQ-T1-GE3 is a N/P-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for load switch and DC-to-DC converter applications.
- TrenchFET® power MOSFET
Alkalmazások
Industrial, Power Management
Műszaki adatok
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
6.7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.18ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.6W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
6.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.18ohm
Transistor Case Style
TSSOP
Power Dissipation N Channel
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Műszaki dokumentumok (2)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.000092
Termékkövethetőség