Oldal nyomtatása
SI7852DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 12.5 A, 0.0165 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
1643 Van Raktáron
Többre van szüksége?
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 1 198,800 Ft |
| 10+ | 980,100 Ft |
| 100+ | 716,850 Ft |
| 500+ | 643,950 Ft |
| 1000+ | 599,400 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
1 198,80 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóVISHAY
Gyártói cikkszámSI7852DP-T1-GE3
Rendelési kód2283668
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id12.5A
Drain Source On State Resistance0.0165ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation1.9W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Termékáttekintés
- N-channel 80V (D-S) TrenchFET® power MOSFET
- Low thermal resistance PowerPAK® package with Low 1.07mm profile
- PWM optimized for fast switching
- 100 % Rg tested
- Used in primary side switch for DC/DC applications
Figyelmeztetések
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12.5A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0165ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Műszaki dokumentumok (2)
Alternatíva a következőhöz: SI7852DP-T1-GE3
1 terméktalálat
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.004536
Termékkövethetőség