Oldal nyomtatása
SIE832DF-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 103 A, 5500 µohm, PolarPAK, Surface Mount
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Továbbiakban nem gyártják
Termékinformáció
GyártóVISHAY
Gyártói cikkszámSIE832DF-T1-E3
Rendelési kód1497648
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id103A
Drain Source On State Resistance5500µohm
Transistor Case StylePolarPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation104W
No. of Pins10Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Alternatíva a következőhöz: SIE832DF-T1-E3
1 terméktalálat
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
103A
Transistor Case Style
PolarPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
5500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
10Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Műszaki dokumentumok (2)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Y-Ex
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Meghatározásra vár
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.00099