Oldal nyomtatása
SIHB12N50E-GE3
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 10.5 A, 0.38 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Rendelhető
A gyártó standard átfutási ideje: 20 hét
Értesítsenek ismét készleten lévő termékről
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 1 239,300 Ft |
| 10+ | 801,900 Ft |
| 100+ | 591,300 Ft |
| 500+ | 498,150 Ft |
| 1000+ | 378,675 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each (Supplied on Cut Tape)
Legalább: 1
Több: 1
1 239,30 Ft (ÁFA nélkül)
Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóVISHAY
Gyártói cikkszámSIHB12N50E-GE3
Rendelési kód2471937
TermékskálaE
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id10.5A
Drain Source On State Resistance0.38ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation114W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Termékáttekintés
The SIHB12N50E-GE3 is an E series N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for computing, lighting, consumer electronics, switch mode power supplies and hard switched topology applications.
- Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
- Low input capacitance (CISS)
- Reduced switching
- Reduced conduction losses
- Low gate charge (Qg)
- Avalanche energy rated (UIS)
- Halogen-free
Alkalmazások
Industrial, Power Management, LED Lighting, Consumer Electronics, Portable Devices
Figyelmeztetések
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10.5A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
114W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.38ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Műszaki dokumentumok (2)
Alternatíva a következőhöz: SIHB12N50E-GE3
1 terméktalálat
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.02
Termékkövethetőség