Oldal nyomtatása
SIHF22N60E-GE3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Through Hole
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
1 Van Raktáron
1000 Már most lefoglalhat készletet
Kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Standard kiszállítás a 17:00 előtt leadott rendelésekre
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 1 664,550 Ft |
| 10+ | 1 283,850 Ft |
| 100+ | 1 016,550 Ft |
| 500+ | 749,250 Ft |
| 1000+ | 696,600 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
1 664,55 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóVISHAY
Gyártói cikkszámSIHF22N60E-GE3
Rendelési kód2364078
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation35W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Termékáttekintés
E series power MOSFET suitable for use in server and telecom power supplies, switch mode power supplies (SMPS), power factor correction power supplies (PFC), lighting (High-intensity discharge (HID), fluorescent ballast lighting), industrial (welding, induction heating, motor drives, battery chargers, renewable energy and solar (PV inverters).
- Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qi
- Low input capacitance (Ciss)
- Reduced switching and conduction losses
- Ultra-low gate charge (Qi)
- Avalanche energy rated (UIS)
Figyelmeztetések
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
35W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Műszaki dokumentumok (2)
Alternatíva a következőhöz: SIHF22N60E-GE3
8 termék található
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.001
Termékkövethetőség