Oldal nyomtatása
SISS61DN-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 111.9 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóVISHAY
Gyártói cikkszámSISS61DN-T1-GE3
Rendelési kód3050577RL
TermékskálaTrenchFET Gen III
Műszaki adatlap
31 705 Van Raktáron
Többre van szüksége?
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
| Mennyiség | |
|---|---|
| 100+ | 223,965 Ft |
| 500+ | 162,000 Ft |
| 1000+ | 147,420 Ft |
| 5000+ | 129,195 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each (Supplied on Cut Tape)
Legalább: 100
Több: 5
23 791,50 Ft (ÁFA nélkül)
Erre a termékre 1 395,00 Ft összegű újratekercselési díjat számolunk fel
Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóVISHAY
Gyártói cikkszámSISS61DN-T1-GE3
Rendelési kód3050577RL
TermékskálaTrenchFET Gen III
Műszaki adatlap
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id111.9A
Drain Source On State Resistance3500µohm
On Resistance Rds(on)0.0029ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation65.8W
Power Dissipation Pd65.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Termékáttekintés
Figyelmeztetések
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Műszaki adatok
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
3500µohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
65.8W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen III
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
111.9A
On Resistance Rds(on)
0.0029ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
Power Dissipation Pd
65.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Műszaki dokumentumok (2)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.0035