Oldal nyomtatása
VSMY2853G
Infrared Emitter, 850 nm, 28 °, SMD, 10 mW/Sr, 10 ns, 10 ns
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
23 993 Van Raktáron
Többre van szüksége?
Kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Standard kiszállítás a 17:00 előtt leadott rendelésekre
| Mennyiség | |
|---|---|
| 100+ | 174,960 Ft |
| 500+ | 147,420 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each (Supplied on Cut Tape)
Legalább: 100
Több: 1
18 891,00 Ft (ÁFA nélkül)
Erre a termékre 1 395,00 Ft összegű újratekercselési díjat számolunk fel
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóVISHAY
Gyártói cikkszámVSMY2853G
Rendelési kód2504167RL
Műszaki adatlap
Peak Wavelength850nm
Angle of Half Intensity28°
Diode Case StyleSMD
Radiant Intensity (Ie)10mW/Sr
Rise Time10ns
Fall Time tf10ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.9V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Termékáttekintés
VSMY2853G is a VSMY2853 series high speed infrared emitting diode. This is infrared, 850nm emitting diodes based on GaAlAs surface emitter chip technology with extreme high radiant intensities, high optical power and high speed, moulded in clear, untinted plastic packages (with lens) for surface mounting (SMD). Application includes miniature light barrier, photo interrupters, optical switch, emitter source for proximity sensors, IR touch panels, IR illumination.
- High reliability, high radiant power
- Very high radiant intensity
- Angle of half intensity is ±28° (Tamb = 25°C)
- Suitable for high pulse current operation
- Terminal configurations gullwing or reverse gullwing
- 10ns typ fall time ( IF = 100mA, 10% to 90%), 50mW/sr typ radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms)
- 10ns typ rise time ( IF = 100mA, 10% to 90%), 850nm typ peak wavelength (IF = 100mA)
- 100mA forward current (Tamb = 25°C)
- Operating temperature range from -40 to +85°C
- Dimensions (L x W x H) is 2.3 x 2.3 x 2.55mm
Műszaki adatok
Peak Wavelength
850nm
Diode Case Style
SMD
Rise Time
10ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Angle of Half Intensity
28°
Radiant Intensity (Ie)
10mW/Sr
Fall Time tf
10ns
Forward Voltage VF Max
1.9V
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
-
Műszaki dokumentumok (2)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Philippines
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Philippines
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85414300
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.000016
Termékkövethetőség