Oldal nyomtatása
WG30R135W1Q
IGBT, 60 A, 1.7 V, 428 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pins
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
237 Van Raktáron
Többre van szüksége?
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 1 170,450 Ft |
| 10+ | 797,850 Ft |
| 100+ | 676,350 Ft |
| 500+ | 643,950 Ft |
| 1000+ | 583,200 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
1 170,45 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóWEEN SEMICONDUCTORS
Gyártói cikkszámWG30R135W1Q
Rendelési kód4697763
Műszaki adatlap
Continuous Collector Current60A
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Power Dissipation428W
Collector Emitter Voltage Max1.35kV
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Termékáttekintés
WG30R135W1Q is an IGBT. It uses advanced Fine Trench Field-stop technology IGBT with monolithic body diode. This device is part of reverse-conducting of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency for soft commutation. Typical applications include microwave ovens, induction heating, resonant converters, soft switching applications.
- Reverse conducting IGBT with monolithic body diode
- Low conduction losses, EMI improved design
- Positive temperature efficient for easy parallel operating
- Collector-emitter breakdown voltage is 1350V min at VGE = 0V; IC = 1mA
- Diode forward voltage is 1.9V typ at VGE = 0V; IF = 30A; Tj = 25°C
- Zero gate voltage collector current is 100μA max at VCE = 1350V; VGE = 0V; Tj = 25°C
- Gate charge is 157nC typ at VCC = 1080V; IC = 30A; VGE = 15V;Tj = 25°C
- Turn-off delay time is 130nS typ at Tj=25°C;IC=30A; VGE=15V / 0V; RG=10 ohm;Cr=300nF; R=2ohm
- TO247 package
- Maximum operating junction temperature is 175°C
Műszaki adatok
Continuous Collector Current
60A
Power Dissipation
428W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Collector Emitter Voltage Max
1.35kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Műszaki dokumentumok (1)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Meghatározásra vár
RoHS ftalát-kompatibilitás:Meghatározásra vár
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.000001